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我国LED封装器材工业发展趋势剖析

来源:http://www.liukee.com 编辑:环亚ag88 时间:2018/09/27

  我国LED封装器材工业发展趋势剖析

  

  (一)覆晶型LED芯片封装

  除了笔直式芯片外,覆晶型芯片也是业界竭力开展的方针。覆晶型芯片的制造较立体型简略许多,且可避掉杂乱工艺,使得量产可行性大幅提高,加上后端芯片工艺金手指和过孔技能老练辅佐,以往有必要栽培多颗金球的固晶方法转变为大面积P、N电极直接黏着支架,调配上eutectic固晶方法,更大大的简化了覆晶型芯片封装的技能门坎,再者,缩短的封装散热途径,相较于水平式芯片有较佳的散热才能,驱动电压也可下降,在未来节能减碳的驱动下,覆晶型芯片封装会是很好的处理方案。

  根据上述封装的考虑,现在选用的首要封装技能为荧光粉涂布以及转注工艺。荧光涂布是亿光开展的技能,首要是在芯片上掩盖一层薄薄的荧光层,如此可大幅提高组件的发光功率,现在亿光已将此产品运用在高功率件上。

  转注工艺技能则原本是运用在小型的外表贴装型产品上面获得了很大成功,并进一步将此技能运用在高功率机种上,克服了硅成型与粘模等技能问题,现在因为TV等背光组件功率的提高与信任性的要求,传统的PPA反射盖基板为有机资料,无法像硅或树脂供给较佳的耐热与耐光才能,为了有用提高信任性,方案将此转注工艺技能运用在背光组件的产品上。

  关于封装尺度,现在所能达到之最小高功率封装体尺度为3.0×3.0mm,乃至是2.0×2.0mm以下的样品制备,但是现在市售最遍及的标准仍为3.5×3.5mm产品,此一产品的运用面极为广泛,因而,亿光身为敞开固态照明年代的前锋分子,亿光电子将继续将小尺度高功率技能运用于此产品上,以低本钱的氮化铝陶瓷基板调配高反射率的反射镜施行,制造此项产品所需的封装支架,别的并会运用共金固晶的工艺技能,藉由金属快速的将热由LED中心地带导向高导热的氮化铝陶瓷,以期下降LED组件的操作温度,达到高功率(150lm/w)、高功率(3-5W操作)、长寿命(60000hrs)、低能耗的LED产品体现。

  芯片挑选将与全球的优质合作伙伴一起致力于现有芯片的质量改进与下降本钱,以及新芯片结构的快速开发,以期能以本钱最低之大量生产的硅胶压模工艺技能,下降现有LED芯片工艺的封装本钱,并以快速反应的光学结构规划契合新规划芯片结构的取光作用,一定达到量产本钱最低、功率最高的规划方针。

  (二)20W以上LED封装

  在LED封装方面,COB封装技能是另一大要点,10W以下LED不适用COB封装技能,这个范畴主流上依然选用单颗大功率封装方式;20W以上的LED则较合适选用COB封装技能。现在日本LED球泡灯商场首要转为以COB多晶封装为主,传统大功率芯片及模块则大多用于MR16等指向性LED灯源。

  现在COB封装用得比较多的是铝基板、铜基板和陶瓷基板等。每种资料的导热系数不同,导致其导热功能的差异,如钻石的导热系数是1000,其次是银和铜为400左右,然后铝是100多,而陶瓷的导热系数在8-22之间。在绝缘资料中,陶瓷的导热系数现已算是不错,加上价格便宜,故许多封装挑选选用陶瓷基板。

  (三)高压LED封装

  除高功率LED外,高压LED的封装也是一大要点。高压LED的封装产品横跨了1W、2W及4W的产品商场,而高压产品的面世,就是以全新的思想处理固态照明因降压电路的存在而形成剩余能量耗费的问题,并进而帮忙终端消费者下降购买本钱。一起,因为高压LED芯片自身具蓝宝石基板,侧向光较一般的芯片为强,因而在封装时应选用全视点均匀披覆的荧光粉规划,以求封装体在全视角色温共同,进而提高光的质量。

  高压LED产品的封装技能要点在于连续上述长处,此外更应供给消费者更多的便利性,使得不同区域在不同的电压操作条件下,都能得到快速且便利的运用。例如亿光电子推出的4W产品,可直接运用电路板的线路串并联规划来契合全球110V及220V不同的电压源需求。且因为单一组件封装体的电压跨压,可达110V甚者220V,因而在开发高压LED封装时,亿光电子坚持运用绝缘的陶瓷基板封装体方式,以下降小尺度之间正负电极火花放电的危险性。

  

   LED封装覆晶高压LED