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欧司朗战胜Droop效应 大大改进高功率LED发光功率

来源:http://www.liukee.com 编辑:环亚ag88 时间:2018/10/05

  欧司朗战胜Droop效应 大大改进高功率LED发光功率

  日前,LED光电巨子欧司朗宣告,公司经过优化外延工艺,可以大大削减LED芯片的Droop效应,使LED的量子功率在电流密度为每平方毫米3安(3A/mm2)的条件下比较以往进步7.5%。然后取得LED性能上的进步,极大改进了高功率LED的发光功率。

  

  

欧司朗光电战胜Droop效应大大进步高功率LED功率

  据悉,LED的Droop效应是指向芯片输入较大电力时LED的光效反而会下降的现象。Droop效应决议了单个LED所能作业的最大电流,因而要完成大光通量有必要选用多颗LED或多芯片,或许经过选用添加芯片面积的办法而削减电流密度的办法,这就会导致高功率LED器材的本钱大幅添加。在LED业界和学术界,Droop效应一直是咱们争相研讨和霸占的技能难题。

  欧司朗表明,现在公司的工程师现已战胜了这个难题,完成了LED器材功率的明显进步。在实验室条件下,欧司朗验证了在每平方毫米3安(3A/mm2)的电流密度下,可完成LEDQFN封装芯片的典型光通量为740流明,这样的体现比以往的典型值(6200K,CX0.319,Cy0.323,单芯片版别LDxyz)进步了约7.5%。一起在每平方毫米0.35安(0.35A/mm2)的低电流密度下,碳银与浙江工行合作开发金融产品...,优化后的LED依然有4%的功率进步。

  经过对LED外延片的大范围修订和完善,咱们现已可以大幅削减LED芯片的Droop现象。项目经理AlexanderFrey博士表明,现在公司一切的LED器材都选用了根据UX:3芯片技能的新工艺。欧司朗光电表明,新工艺也将对其它大功率LED产品发生活跃的影响。现在公司有方案将新的技能成果一步步集成到现有的产品组合傍边。

  

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